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性能的贴片式石英晶体振荡器X1G，的推陈出新，不断为这个世界增加了新景象，当晶体振荡器与航空航天融合在一起的时候，会发现多大的变化呢?除了带给我们更多美好体验以外，还有有源晶振能够为我们的世界贡献其的一份力量，晶体振荡器用于军事和航空航天，组成一个有效的通信系统；该通信系统可用于导航系统的导航目和电子信息战。在研究和测量中，晶体振荡器多用于天体导航和空间跟踪目的研究和测量.

性能的贴片式石英晶体振荡器X1G，航空电子设备是飞机、空间建站、卫星等的重要组成部分，每一个电子设备都需要不同频率的晶体振荡器用于提供时钟信号，晶体振荡器失效则设备无法继续工作；典型航空电子设备有：机载计算机、显示器、电台、惯导、雷达、通信、射频、电源模块等.

石英晶体振荡器是高度稳定的，由良好的品质因数（Q）组成，它们的尺寸小且与经济相关。因此，与其他谐振器（例如LC电路，转叉）相比，石英晶体振荡器电路更为。通常，在微处理器和微控制器中，我们使用8MHz晶体振荡器。等效电路还描述了晶体的晶体作用。

Product Number	EPSON晶振型号	Frequency	LxWxH	Output Wave	Supply Voltage	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]
X1G	SG-8018CG	15.360000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G	SG-8018CG	22.062300 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G	SG-8018CG	38.742000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G	SG-8018CG	33.372000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G	SG-8018CG	50.058000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G	SG-8018CG	59.918000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G	SG-8018CG	17.887000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G	SG-8018CG	19.041000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G	SG-8018CG	24.495900 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G	SG-8018CG	27.914200 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G	SG-8018CG	34.184000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G	SG-8018CG	50.083030 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G	SG-8018CG	50.136000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G	SG-8018CG	53.175000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G	SG-8018CG	54.608000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G	SG-8018CG	54.694000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G	SG-8018CG	63.710000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G	SG-8018CG	0.768000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G	SG-8018CG	13.560000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G	SG-8018CG	5.400000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G	SG-8018CG	25.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G	SG-8018CG	3.072000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G	SG-8018CG	25.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA

爱普生的SG-8018系列是可编程晶体振荡器系列CMOS输出。3.63V贴片式石英晶体振荡器，编码X1G，频率25.000000兆赫，输出WaveCMOS，供电电压1.62至3.63 V，尺寸(长×宽×高)2.50 × 2.00 × 0.80毫米，工作温度-40到+105°C，频率公差±50ppm，OSC TypeProgrammable Clock时钟OSC，这个系列提供了频率和其他参数的可编程性SG-8002/SG-8003系列，它们也具有更广泛的工作温度范围，极限为105°C。

Product Number	Model	Frequency	LxWxH	Output Wave	Supply Voltage	Ope Temperature	Freq. Tol.	I [Max]
X1G	SG-8018CG	36.864000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G	SG-8018CG	133.333300 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 8.1 mA
X1G	SG-8018CG	9.600000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G	SG-8018CG	30.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G	SG-8018CG	66.666660 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 5.2 mA
X1G	SG-8018CG	11.289600 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G	SG-8018CG	12.288000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G	SG-8018CG	6.400000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G	SG-8018CG	27.175000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G	SG-8018CG	32.773300 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G	SG-8018CG	11.289600 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G	SG-8018CG	14.318180 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G	SG-8018CG	25.500000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G	SG-8018CG	40.680000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G	SG-8018CG	18.432000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G	SG-8018CG	22.857143 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G	SG-8018CG	115.000000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 6.7 mA
X1G	SG-8018CG	21.600000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 4.4 mA
X1G	SG-8018CG	19.440000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA
X1G	SG-8018CG	8.192000 MHz	2.50 x 2.00 x 0.80 mm	CMOS	1.620 to 3.630 V	-40 to 105 °C	+/-50 ppm	≤ 3.5 mA

除了2.5 × 2.0 mm的封装，将使电子制造商节省板空间，该SPXO晶体振荡器也将在以下流行的封装尺寸:3.2 × 2.5 mm, 5.0 × 3.2 mm和7.0 × 5.0 mm。SG-8018系列振荡器的频率容忍度约为66%比同类产品低50%的电流消耗，适用范围广环境条件。这也将大大有助于性能，更低的功率要求，快速开发周期和低量生产。