光刻胶灰化、剥离和浮渣以及硅片的有机污染物去除
干式光刻胶灰化、剥离和脱渣使用氧等离子体产生自由基氧，以化学方式去除硅片上的光刻胶层。氧等离子体灰化的副产物是无毒的。它比湿法蚀刻工艺更环保。等离子体内的高能电子可以分解氧分子并产生活性氧原子。然后，氧自由基可以氧化光刻胶并产生高蒸气压副产物 CO、CO2 和 H2O。添加少量的CF4或SF6气体可以显著提高光刻胶的蚀刻速率，因为高活性氟原子可以提高从光刻胶聚合物中提取氢气的速度。
在 Tergeo-plus 等离子体系统中使用氧等离子体进行光刻胶灰化。
光刻胶脱渣是光刻胶图案化和显影后的一种额外的温和光刻胶蚀刻工艺。它用于去除残留在发达区域的残留光刻胶浮渣。这种残留物会阻止后续的干法或湿法刻蚀步骤，并影响晶圆上蚀刻速率的均匀性。除渣步骤还可以改善光刻胶掩模的侧壁轮廓，提高工艺均匀性。
对于在硅或石英晶圆上制造的MEMS器件，晶圆表面的有机污染物会增加水接触角，使表面疏水。氧等离子体处理可以很容易地去除有机污染物，使表面具有亲水性。在执行引线键合步骤之前，去除焊盘上的有机污染物也很重要。
氧等离子清洗可以去除晶圆表面的有机污染物，提高表面润湿性
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