序号 | 配比 | 蚀刻剂 | 速率（埃/秒） | 温度/其他 | 掩膜 |
1 | 64:3:33 | HNO3 : NH4F : H2O | 100 angstroms/s | ||
2 | 61:11:28 | Ethylenediamine : C6H4(OH)2 : H2O | 78 angstroms/s | ||
3 | 108ml : 350g : 1000ml | HF : NH4F : H2O | slow – 0.5 angstroms/min | ||
4 | 1:1:50 | HF : HNO3 : H2O | slow etch | ||
5 | KCl dissolved in H2O | ||||
6 | KOH : H2O : Br2/I2 | ||||
7 | KOH | ||||
8 | 40% or diluted | KOH | 300~2000 （取决于浓度和温度） | 60℃-90℃ | Si3N4 |
9 | 1 : 1 : 1.4 : 0.15% : 0.24% | HF : HNO3 : HAc : I2 : triton | |||
10 | 1:6:3 | HF : HNO3 : HAc | |||
11 | ａnd 0.19 g NaI per 100 ml solution | ||||
12 | 1:4 | Iodine Etch : HAc | |||
13 | 0.010 N | NaI | |||
14 | NaOH | ||||
15 | HF : HNO3 | ||||
16 | 1:1:1 | HF : HNO3 : H2O |
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