IGBT（Insulated Gate Bipolor Transistor）叫做绝缘栅极双极晶体管。这种器件具有MOS门极的高速开关性能和双极动作的高耐压、大电流容量的两种特点。其开关速度可达1mS，额定电流密度100A/cm2，电压驱动，自身损耗小。其符号和波形图如下图所示。
IGBT可以耐高压、大电流，常以一个单元、二个单元、六个单元装在一个芯片上，下图给出一、二、六单元在一个硅片上的等效电路。
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